JFET P-CH MMBFJ177 - 30V 0,225W - SOT-23 SMD

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 JFET P-CH MMBFJ177 – 30V 0,225W – SOT-23 SMD 

 O transistor JFET é um transistor baseado no princípio de efeito de campo. JFet é uma abreviação para Junction Field Efect Transistor.
Assim como transistores bipolares comuns, os transistores JFets contam com 3 terminais com nomes diferentes: Gate (porta), Drain (dreno) e Source (fonte).
Uma das diferenças entre o transistor comum e o transistor JFet, é o fato da corrente de Gate ser inferior a corrente de Base, já que no JFet a junção Gate trabalha de forma inversamente polarizada. Uma grande vantagem é a tensão de saturação que é quase nula entre Drain e Source, não havendo percas.

Onde utilizar o  JFET P-CH MMBFJ177 – 30V 0,225W – SOT-23 SMD

O JFET pode ser utilizado em inúmeras aplicações, podendo ser utilizado como Switch, amplificador, entre outras.

Principais Características

  • VDG (Tensão Drain-Gate): -30V
  • VGS (Gate-Source) off: 0,8 a 2,5V
  • Corrente Gate: 50mA
  • Temperatura: -55 a 150°C
  • IDSS: -1,5 a -20mA
  • RDS: 300Ω
  • Datasheet: MMBFJ177

 

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